[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310524437.0 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633147A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 林亮宇;郑君丞 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极以及漏极、金属氧化物半导体层、第一金属氧化物导电层以及第二金属氧化物导电层。栅极绝缘层覆盖栅极。源极以及漏极位于栅极绝缘层上。金属氧化物半导体层覆盖源极、漏极以与栅极上方的栅极绝缘层，以作为通道层。第一金属氧化物导电层位于源极与金属氧化物半导体层之间，以使源极与金属氧化物半导体层隔离开来。第二金属氧化物导电层位于漏极与金属氧化物半导体层之间，以使漏极与金属氧化物半导体层隔离开来。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一栅极绝缘层，覆盖该栅极；一源极以及一漏极，位于该栅极绝缘层上；一金属氧化物半导体层，覆盖该源极、该漏极以及该栅极上方的该栅极绝缘层，以作为一通道层；一第一金属氧化物导电层，位于该源极与该金属氧化物半导体层之间，以使该源极与该金属氧化物半导体层隔离开来；以及一第二金属氧化物导电层，位于该漏极与该金属氧化物半导体层之间，以使该漏极与该金属氧化物半导体层隔离开来。
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