[发明专利]一种互连电路的制作方法在审
| 申请号： | 201310524116.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600022A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;宋广华;尤宇文 | 申请（专利权）人： | 泉州市金太阳照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互连电路的制作方法，包括：提供非导电的氧化物基板；在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层；在所述结合层上沉积种子层，所述结合层用于增加所述非导电的氧化物基板和所述种子层的粘合力；在所述种子层上覆光阻材料层，通过曝光、显影去除光阻材料层的未曝光部分得到欲电镀的凹槽图形，在凹槽图形区域露出种子层；在所述凹槽图形区域的种子层上电镀得到电镀层；蚀刻掉非凹槽图形区域的光阻材料层，及光阻材料层下的种子层和结合层。本发明采用电镀的方法取代丝网印刷制作银互联电路，解决了线路从基板脱线和LED灯珠器件嵌入电路中的焊接问题，且通过增加一层结合层增加了种子层与非导电的氧化物基板的粘合力，而且非导电的氧化物基板相对成本低，透光性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 电路 制作方法 | ||
【主权项】：
一种互连电路的制作方法，其特征在于，包括：提供非导电的氧化物基板；在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层；在所述结合层上沉积种子层，所述结合层用于增加所述非导电的氧化物基板和所述种子层的粘合力；在所述种子层上覆光阻材料层，通过曝光、显影去除光阻材料层的未曝光部分得到欲电镀的凹槽图形，在凹槽图形区域露出种子层；在所述凹槽图形区域的种子层上电镀得到电镀层；蚀刻掉非凹槽图形区域的光阻材料层，及光阻材料层下的种子层和结合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
