[发明专利]行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管

摘要

本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。

主权项

一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管，其特征在于包括： 一InP衬底（1），InP缓冲层（2），InGaAsP次集电区（3），InGaAsP集电区（4），InGaAsP过渡层（5），InGaAsP基区（6），InP发射区（7），InP盖层（8），各层按序号由小到大的顺序依次生长在InP衬底（1）之上；InGaAs欧姆接触层（9）生长InP盖层（8）上， 所述InGaAsP基区（6）、InGaAsP集电区（4）和InGaAsP次集电区（3）构成渐变耦合脊波导结构， 聚酰亚胺层（10）覆盖在InGaAs接触层（9）和InGaAsP次集电层（3）之上，开出电极窗口，一发射极（11），第一集电极（12）、第二集电极（13）、第三集电极（14）、第四集电极（15）采用溅射的方法制作在InP衬底（1）和聚酰亚胺层（10）上，然后刻蚀出行波电极。