[发明专利]一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路有效
申请号: | 201310514304.5 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN103532356A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 侯典立;张庆范;刘晓 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/38 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 250061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路,包括:上位功率管M1驱动电路和下位功率管M2驱动电路,上位功率管M1驱动电路包括:自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路;下位功率管M2驱动电路包括:低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路;本发明有益效果:解决了传统自举供电基础上不能有效增加负压线路,导致上桥臂MOSFET/IGBT不能可靠关断,并且大负载时容易导致上下桥臂直通,最终烧毁设备的问题;既保证了线路的简洁性,又能保证功率管的可靠关断。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 供电 mosfet igbt 驱动 线路 | ||
【主权项】:
一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路,包括:上位功率管M1驱动电路和下位功率管M2驱动电路,其特征是,上位功率管M1驱动电路包括:自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路依次串联连接;所述上位负压生成线路串接在上位推挽驱动线路的限流电阻与上位功率管M1的栅极之间;下位功率管M2驱动电路包括:低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路依次串联连接;所述下位负压生成线路串接在下位推挽驱动线路的限流电阻与下位功率管M2的栅极之间;所述上位负压生成线路或者下位负压生成线路中的电容在功率管导通时充电,功率管关断时放电。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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