[发明专利]用于电阻型存储器的感测放大器中的写驱动器在审
申请号: | 201310503050.7 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103778960A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | Y.尹;S.车;D.姜;C.金 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 示例实施例包括用于电阻型存储器的感测放大器中的电平移位写驱动器。写驱动器可以包括交叉耦合的锁存电路、第一输出部分、第二输出部分和输入部分。第一输出部分包括一个或多个第一驱动晶体管以驱动第一电流通过第一输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。第二输出部分包括一个或多个第二驱动晶体管,被配置为驱动第二电流通过第二输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。输出部分的电流与锁存电路隔离。在一些实施例中,没有两个PMOS类型晶体管串联连接,从而减少了管芯面积的消耗。在一些实施例中,使用单个控制信号来操作写驱动器。 | ||
搜索关键词: | 用于 电阻 存储器 放大器 中的 驱动器 | ||
【主权项】:
一种用于电阻型存储器的感测放大器中的写驱动器,包括:包括至少两个锁存晶体管的交叉耦合锁存器;第一输出部分,包括耦接到第一差分输出端的一个或多个第一驱动晶体管,该一个或多个第一驱动晶体管被配置为驱动第一电流通过第一输出部分而不通过交叉耦合锁存器;以及第二输出部分,包括耦接到第二差分输出端的一个或多个第二驱动晶体管,该一个或多个第二驱动晶体管被配置为驱动第二电流通过第二输出部分而不通过交叉耦合锁存器。
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