[发明专利]LED 芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201310499374.8 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104576854A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张戈 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其形成方法。其中该LED芯片包括：衬底；N型半导体层；多量子阱，该多量子阱的面积小于N型半导体层的面积，以在N型半导体层上形成N电极安装区；电子阻挡层；P型半导体层，其具有线形开口，线形开口的底部与电子阻挡层接触；N电极，N电极形成在N电极安装区上；P电极，该P电极包括：P电极线部，填充线形开口的底部的P电极线部、位于P型半导体层之上并且位于线形开口上边缘的一端的P电极端部和连接P电极端部和P电极线部的一端的P电极连接部；以及隔离层，隔离层位于P电极端部与P型半导体层之间，隔离层的形状与P电极端部的形状相匹配。本发明的LED芯片具有驱动电压低、发光亮度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；N型半导体层，所述N型半导体层位于所述衬底之上；多量子阱，所述多量子阱位于所述N型半导体层之上，所述多量子阱的面积小于所述N型半导体层的面积，以在所述N型半导体层上形成N电极安装区；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述多量子阱之上；P型半导体层，所述P型半导体层位于所述电子阻挡层之上，所述P型半导体层具有线形开口，所述线形开口的底部与所述电子阻挡层接触；N电极，所述N电极形成在所述N电极安装区上；P电极，所述P电极包括：P电极线部，所述P电极线部填充所述线形开口的底部；P电极端部，所述P电极端部位于所述P型半导体层之上并且位于所述线形开口上边缘的一端；和P电极连接部，所述P电极连接部连接所述P电极端部和所述P电极线部的一端；以及隔离层，所述隔离层位于所述P电极端部与所述P型半导体层之间，所述隔离层的形状与所述P电极端部的形状相匹配。
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