[发明专利]一种大尺寸超薄硒化铋纳米片的制备方法有效
申请号: | 201310496510.8 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103641079A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 王增梅;李小帅;朱鸣芳 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种大尺寸超薄硒化铋(Bi2Se3)纳米片的制备方法—气相传输法,其制备工艺包括以下几步:1)按2:3的摩尔比称取一定量的铋粉和硒粉,清洗好Si/SiO2衬底、石英管,并将衬底用耐高温胶粘附在石英块上;2)在石英管一端放入原料铋粉和硒粉,另一端垂直放入Si/SiO2衬底,将石英管抽真空,密封;3)将石英管放入高真空管式炉中,按一定加热速率,在设定温度下保温一定时间后,随炉冷却;4)取出并切开石英管,得到长有Bi2Se3纳米片的Si/SiO2衬底。由于本方法以高纯度的铋粉和硒粉为原料,且在高温高真空状态下合成,因此得到的Bi2Se3纳米片结晶性好、纯度高,在光电子器件、热电冷凝装置等领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 超薄 硒化铋 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大尺寸超薄硒化铋纳米片的制备方法,其特征在于,采用气相传输法制备,包括如下步骤:步骤1、按(1.9~2.1):(2.9~3.1)的摩尔比称取铋粉和硒粉,清洗好Si/SiO2衬底、石英管,并将衬底用耐高温胶粘附在石英块上;步骤2、在石英管一端即原料端放入步骤1得到的铋粉和硒粉,另一端垂直放入步骤1得到的Si/SiO2衬底,将石英管抽真空,密封;步骤3、将步骤2得到的石英管放入高真空管式炉中加热,在设定温度下保温后,随炉冷却;步骤4、取出步骤3得到的石英管,并用金刚石切割机切开,得到长有大尺寸超薄硒化铋Bi2Se3纳米片的Si/SiO2衬底。
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