[发明专利]硅基薄膜太阳能电池背电极及制造方法、硅基薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201310491345.7 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103618010A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 彭长涛;徐希翔;张津燕;汪荣峰;胡安红;曲铭浩 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0725;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基薄膜太阳能电池背电极及其制造方法，本发明还提供一种硅基薄膜太阳能电池。其中，本发明提供的硅基薄膜太阳能电池背电极包括：设置于所述太阳能电池发电层上的保护阻挡层，以及设置于所述保护阻挡层上的背电极材料层；其中，所述保护阻挡层含有氧化锌的膜层或为氧化锌组合物膜层。本发明可显著提高太阳能电池的光电转换率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，包括：设置于所述太阳能电池发电层上的保护阻挡层，以及设置于所述保护阻挡层上的背电极材料层；其中，所述保护阻挡层含有氧化锌的膜层或为氧化锌组合物膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
