[发明专利]功率半导体模块

摘要

本发明涉及一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有基底，其中，该功率半导体模块具有第一和第二直流电压负载电流接头元件以及第一和第二功率半导体结构元件，并且该第一和第二功率半导体结构元件沿基底的横向的第一方向布置，其中，该功率半导体模块具有薄膜复合结构，该薄膜复合结构具有第一金属薄膜层和结构化的第二金属薄膜层以及布置在第一与第二金属薄膜层之间的电绝缘薄膜层，其中，第一功率半导体结构元件和第二功率半导体结构元件与薄膜复合结构并且与基底导电连接，其中，第一和第二功率半导体结构元件关于第一和第二直流电压负载电流接头元件布置在共同的侧上。本发明还提供了一种功率半导体模块，其具有感应特别低的结构。

主权项

一种功率半导体模块，所述功率半导体模块具有基底(2)，其中，所述基底(2)具有绝缘材料体(4)和布置在所述绝缘材料体(4)上的、导电的、结构化的线路层(5)，所述线路层(5)构造出彼此电绝缘地布置的导体轨迹(5a、5b)，其中，在第一导体轨迹(5a)上布置有第一功率半导体结构元件(T1)，所述第一功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头(C、E)，并且所述第一功率半导体结构元件(T1)的第一负载电流接头(C)与所述第一导体轨迹(5a)导电连接，其中，在第二导体轨迹(5b)上布置有第二功率半导体结构元件(T2)，所述第二功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头(C、E)，并且所述第二功率半导体结构元件(T2)的第一负载电流接头(C)与所述第二导体轨迹(5b)导电连接，其中，所述功率半导体模块(1a、1b、1c、1d、1e、1f)具有第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)，其中，所述第一和第二功率半导体结构元件(T1、T2)沿所述基底(2)的横向的第一方向(X)布置，并且所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)相继布置，其中，所述功率半导体模块(1a、1b、1c、1d、1e、1f)具有薄膜复合结构(11)，所述薄膜复合结构具有第一金属薄膜层(8)和结构化的第二金属薄膜层(10)以及布置在所述第一与第二金属薄膜层(8、10)之间的电绝缘薄膜层(9)，其中，所述第一功率半导体结构元件(T1)的第二负载电流接头(E)与所述第二金属薄膜层(10)导电连接，并且所述第二金属薄膜层(10)与所述第二导体轨迹(5b)导电连接，其中，所述第二功率半导体结构元件(T2)的第二负载电流接头(E)与所述第一金属薄膜层(8)导电连接，其中，所述第一直流电压负载电流接头元件(14)与所述第一导体轨迹(5a)导电连接，而所述第二直流电压负载电流接头元件(15)与所述第一金属薄膜层(8)导电连接，其中，所述第一和第二功率半导体结构元件(T1、T2)关于所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)布置在共同的侧(SE)上。