[发明专利]鳍式场效应管及其制作方法

摘要

本申请公开了一种鳍式场效应管及其制作方法。其中，鳍式场效应管包括形成在半导体衬底上的介质层和鳍片、栅极结构及设置在鳍片上的外延层，外延层包括在鳍片的源漏区沟槽内依次沉积的第一外延层和第二外延层，其中，第一外延层为碳掺杂浓度小于第二外延层为碳掺杂浓度。外延层在生长的过程中不会形成矩形的轮廓，外延层横向衍生的距离比较短，相邻的外延层就不会粘在一起，克服了现有技术中生长在鳍片上外延层的外表面会产生矩形（或近似矩形）的轮廓而造成的相邻鳍片上所生长的外延层之间距离过缩减的技术问题。

主权项

1.一种鳍式场效应管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：S101，在半导体衬底上形成鳍片，并在所述鳍片上形成栅极结构；S102，在所述鳍片上形成源漏区，并对所述源漏区进行刻蚀形成源漏区沟槽；S103，在所述源漏区沟槽内依次沉积第一外延层和第二外延层，其中，所述第一外延层的碳掺杂浓度小于所述第二外延层的碳掺杂浓度；所述第一外延层沉积于所述源漏区沟槽的底部和侧壁，所述第二外延层填充所述源漏区沟槽，并在与所述鳍片垂直的方向上覆盖所述鳍片。