[发明专利]低发火电压微型半导体桥发火组件

摘要

本发明专利公开了一种低发火电压微型半导体桥发火组件。该发火组件将半导体桥换能元芯片用粘结剂固定在微型不对称陶瓷电极塞的梯形凹槽内，该半导体桥换能元芯片上的两个金属电极焊盘分别用键合金属丝与陶瓷塞的两根脚线电极通过焊接相连，使两根脚线与半导体桥形成电路连接，在半导体桥换能元上方装填电热敏感发火药。本发明专利微型半导体桥发火组件的最小全发火电压低至3.83V（10μF），最小全发火能量为0.074mJ，安全电流不小于200mA，发火时间为12.6～16.5μs，具有发火能量低、作用时间短、作用一致性好、抗静电和抗射频能力好的特点，适合微机电系统的应用前景。

主权项

一种低发火电压微型半导体桥发火组件，它包括半导体桥换能元芯片（1）、微型不对称陶瓷电极塞（2）、键合金属丝（6，7）、电热敏感发火药（13），其特征在于：将桥区长为18～21μm，宽为48～51μm，电阻为3～5Ω，外形尺寸不大于长0.5mm×宽0.5mm×高0.5mm的半导体桥换能元芯片（1）用粘结剂（12）固定在直径为2.0～2.2mm，高度为1.0～1.2mm微型不对称陶瓷电极塞（2）的梯形凹槽（3）内，其梯形凹槽短边长为0.5～0.55mm，长边长为0.6～0.7mm，边高为0.5～0.6mm，槽深为0.6mm，长边位于电极塞对称中心线上或附近，半导体桥换能元芯片（1）的两个金属焊盘（9，10）与电极塞（2）的两根脚线电极（4，5）之间用键合金属丝（6，7）以超声波焊接方式实现电路连接，两根脚线电极（4，5）直径为0.3～0.4mm，极距为0.6～0.8mm，两根脚线电极（4，5）的中心连线与电极塞（2）中心的距离为0.3～0.5mm，半导体桥换能元芯片（1）上方装填电热敏感发火药（13）超细结晶中性三硝基间苯二酚铅构成发火组件。