[发明专利]钼硅靶材的制作方法在审
| 申请号： | 201310465260.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104513953A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;王科 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种钼硅靶材的制作方法，包括：提供钼粉末和硅粉末，将所述钼粉末和所述硅粉末进行混合，形成钼硅混合粉末；采用热压工艺将所述钼硅混合粉末烧结成型，形成钼硅靶材。采用本发明的方法形成的钼硅靶材的致密度很高、内部组织结构和内部晶粒尺寸均匀，纯度也较高，满足高端电子行业对钼硅靶材质量的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 钼硅靶材 制作方法 | ||
【主权项】：
一种钼硅靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供钼粉末和硅粉末，将所述钼粉末和所述硅粉末进行混合，形成钼硅混合粉末；采用热压工艺将所述钼硅混合粉末烧结成型，形成钼硅靶材。
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