[发明专利]用于堆叠式器件的互连结构有效
| 申请号： | 201310463691.4 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104051419B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡纾婷;林政贤;杨敦年;刘人诚;洪丰基;黄志辉;陈升照;周世培;林佳洁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 堆叠 器件 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种堆叠式集成电路器件，包括：第一半导体元件，包括：第一衬底；所述第一衬底中的介电块；和多个第一导电部件，形成在所述第一衬底上方的第一金属间介电层中；第二半导体元件，接合至所述第一半导体元件，其中，所述第二半导体元件包括：第二衬底；和多个第二导电部件，形成在所述第二衬底上方的第二金属间介电层中；以及导电深互连插塞，连接在所述第一导电部件和所述第二导电部件之间并通过所述介电块、所述第一金属间介电层和所述第二金属间介电层隔离，所述导电深互连插塞包括：形成在所述介电块和所述第一金属间介电层中的上部，所述上部具有第一宽度；和形成在所述第一金属间介电层和所述第二金属间介电层中的下部，所述下部具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述导电深互连插塞的穿过所述第一导电部件的部分包括具有所述第一宽度的段和具有所述第二宽度的段。
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