[发明专利]时间门控宽场受激辐射超分辨显微方法及装置有效
申请号: | 201310460512.1 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103487421A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 匡翠方;李帅;葛剑虹;刘旭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种时间门控宽场受激辐射超分辨显微方法,包括以下步骤:1)激发光经显微物镜投射到的待测样品之上,对待测样品进行宽敞激发发出荧光;2)损耗光通过光束调制模块进行调制后,同样经显微物镜投射到待测样品上,形成暗斑阵列状照明光斑,对宽敞激发区域进行受激辐射损耗;3)待测样品在受激辐射损耗后发出的荧光由显微物镜收集,并聚焦投射到光电感应器件上,得到待测样品的荧光图像;4)平移待测样品,并重复步骤1)~3),对待测样品进行水平二维扫描,得到与各扫描位置相对应的荧光图像;5)对所有荧光图像进行平移、叠加处理,最终恢复出二维超分辨图像。本发明还公开了一种时间门控宽场受激辐射超分辨显微装置。 | ||
搜索关键词: | 时间 门控 宽场受激 辐射 分辨 显微 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种时间门控宽场受激辐射超分辨显微方法,其特征在于,包括以下步骤:1)激发光经显微物镜投射在位于纳米水平位移台的待测样品之上,对所述的待测样品进行宽敞激发发出荧光;2)损耗光通过光束调制模块进行调制后,同样经所述的显微物镜投射到所述的待测样品上,形成暗斑阵列状照明光斑,对宽敞激发区域进行受激辐射损耗;3)所述待测样品在受激辐射损耗后发出的荧光由显微物镜收集,并通过聚焦投射到光电感应器件上,得到待测样品的荧光图像;4)移动所述的纳米水平位移台,并重复步骤1)~3),对待测样品进行水平二维扫描,得到与各扫描位置相对应的荧光图像;5)对所得到的各幅荧光图像进行平移、叠加处理,最终恢复出待测样品的二维超分辨图像。
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