[发明专利]一种磁控溅射在硅上制锰铁薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310460062.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104513963A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 袁萍 | 申请（专利权）人： | 无锡慧明电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山区锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射在硅上制锰铁薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1、以硅单晶为衬底材料；2、采用磁控溅射方法，选择锰靶和铁靶两个靶；3、将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4、衬底为室温或加温，锰靶和铁靶共溅射制备锰-铁薄膜；5、退火，在硅单晶衬底上形成锰铁薄膜，该锰铁薄膜表现室温铁磁特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 硅上制 锰铁 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和铁靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和铁靶共溅射制备锰‑铁薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰铁薄膜，该锰铁薄膜表现室温铁磁特性。
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