[发明专利]反应腔室及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310455870.3 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN104513971B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 董志清 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的一种反应腔室及等离子体加工设备,在反应腔室内设置有采用导磁材料制作的承载被加工工件的多层托盘,且沿竖直方向间隔设置,其包括对托盘进行加热的加热单元,加热单元包括交流电源、环绕设置在反应腔室的侧壁外侧的加热线圈和辅助线圈,加热线圈位于与多层托盘所在区域相对应的位置,且与交流电源连接,采用感应加热的方式对托盘进行加热;采用自身为闭合回路结构的辅助线圈位于加热线圈的顶端上方和/或底端下方,用以在加热线圈通入交流电时形成感应磁场,用于调整由加热线圈形成的交变磁场的分布,以使各层托盘的径向温度趋于均匀。本发明提供的反应腔室,其可以提高被加工工件温度的均匀性,从而可以提高工艺质量和良品率。 | ||
搜索关键词: | 反应 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,在所述反应腔室内设置有采用导磁材料制作的多层托盘,且沿竖直方向间隔设置,用以承载被加工工件;并且,所述反应腔室包括加热单元,用以对所述托盘进行加热,其特征在于,所述加热单元包括交流电源、环绕设置在所述反应腔室的侧壁外侧的加热线圈和辅助线圈,其中所述加热线圈位于与所述多层托盘所在区域相对应的位置,且与所述交流电源连接,用以采用感应加热的方式对所述托盘进行加热;所述辅助线圈位于所述加热线圈的顶端上方和底端下方,所述辅助线圈自身采用闭合回路结构,用以在所述加热线圈通入交流电时形成感应磁场,所述感应磁场用于调整由所述加热线圈形成的交变磁场的分布,以使各层所述托盘的径向温度趋于均匀。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的