[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号： | 201310452241.5 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700633A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姜明成;高廷旼;朴商植;金沅槿;洪志硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L25/065;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上；以及第一底填充层，位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层，位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层，位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间，其中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。
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