[发明专利]大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法有效
| 申请号： | 201310452037.3 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103466726A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 夏国栋;王素梅 | 申请（专利权）人： | 夏国栋;王素梅 |
| 主分类号： | C01G53/11 | 分类号： | C01G53/11;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王吉勇 |
| 地址： | 250061 山东省济南市历*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法，包括：（1）合成黄原酸镍前驱体；（2）硫化镍二维纳米片阵列的制备：将黄原酸镍前驱体粉末放入加热装置中加热到160-360℃，保温10-300分钟，即能够在黄原酸镍前驱体附近的基片上有硫化镍二维纳米片阵列生成。本发明工艺过程简单，制备参数易控，重复性好，可以大规模工业化生产。而且数据结果翔实，可充分证明该方法的可行性。通过上述工艺，可以避免通常的多步复杂工艺、工艺周期长或高真空昂贵设备等，为低成本大规模应用提供了一种极具潜力的候选方案。 | ||
| 搜索关键词： | 大规模 直接 合成 导电 硫化 二维 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法，其特征是，包括：（1）合成黄原酸镍前驱体；（2）硫化镍二维纳米片阵列的制备：将黄原酸镍前驱体粉末放入加热装置中加热到160‑360℃，保温10‑300分钟，即能够在黄原酸镍前驱体附近的基片上有硫化镍二维纳米片阵列生成。
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