[发明专利]状态保持电源选通单元有效
申请号: | 201310450260.4 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN104517963B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 檀苗林;程志宏;付娟;王沛东;王亚丽 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L27/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种状态保持电源选通单元,包括以两行或更多行布置的逻辑单元。所述逻辑单元具有有源层,所述有源层至少包括分别设置在第一和第二行中的第一阱和第二阱。在正常操作模式中,第一阱被以第一偏置电压供电,第二阱被以第二偏置电压供电,第一电源线被以VDDC供电,而第二电源线被以VDD供电。在待机模式中,第一阱优选被掉电,第二阱被以第二偏置电压供电,第一电源线被以VDDC供电,而第二电源线被掉电。 | ||
搜索关键词: | 状态 保持 电源 单元 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路的逻辑单元,其中所述逻辑单元以两行或更多行布置,所述逻辑单元包括:有源层,其包括具有第一导电类型的阱,所述阱包括位于第一行中的第一阱和位于不同的第二行中的第二阱;多个半导体装置,其形成在所述有源层中和所述有源层上,并且被布置在所述两行或更多行中,其中所述多个半导体装置包括部分地形成在所述第一阱中的至少一个第一半导体装置和部分地形成在所述第二阱中的至少一个第二半导体装置;仅用于所述第一行的第一电源线,其中所述第一半导体装置的一个电流端子耦接到所述第一电源线;以及用于所述第二行的第二电源线,其中所述第二半导体装置的一个电流端子耦接到所述第二电源线;其中在第一操作模式中以及在不同的第二操作模式中,所述第一阱被以第一偏置电压供电,而在所述第一操作模式中,所述第二阱被以不同的第二偏置电压供电;其中在所述第一操作模式和第二操作模式两者中,所述第一电源线被以第一电源电压供电;并且其中在所述第一操作模式中,所述第二电源线被以与所述第一电源电压不同的第二电源电压供电,并且在所述第二操作模式中,所述第二电源线被掉电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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