[发明专利]半导体装置及其制法有效
| 申请号： | 201310449992.1 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425417B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 林长甫;姚进财;张宏铭;庄旻锦;黄富堂 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置及其制法与半导体结构，该半导体装置包括具有相邻的二连接垫的基板；半导体组件，具有对应于各该连接垫的焊垫与形成于该些焊垫上的凸块底下金属层；具有依序形成于该凸块底下金属层上的第一导电部与第二导电部的导电组件，其中，该第二导电部的宽度小于该第一导电部的宽度；以及形成于该第二导电部与该连接垫之间的焊球，用于连接该导电组件与该基板。藉此，本发明能避免相邻的导电组件间产生焊料桥接的情形，并降低该导电组件与该凸块底下金属层间的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：基板，其具有相邻的二连接垫；半导体组件，其具有对应于各该连接垫的焊垫与形成于该些焊垫上的凸块底下金属层；导电组件，其具有依序形成于该凸块底下金属层上的第一导电部与第二导电部；焊球，其形成于该第二导电部与该连接垫之间，其中，该第二导电部、该焊球与该连接垫三者的宽度皆小于该第一导电部的宽度；以及胶体，其形成于该基板与该半导体组件之间以包覆该导电组件，且该胶体直接接触该基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司，未经矽品精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310449992.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
