[发明专利]氢氧化钴/硫化铋复合纳米线超级电容电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310449521.0 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN103456521A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 李长明;杨欢;谢佳乐 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种氢氧化钴/硫化铋复合纳米线超级电容电极材料的制备方法,包括以下步骤:1)在电极基片上制备一层硫化铋的晶种层;2)将步骤1)得到的有晶种层的电极基片在空气中退火处理;3)通过水热反应在步骤2)得到的退火后的电极基片上生长一层硫化铋的纳米线,得到长有硫化铋纳米线的电极基片;4)将步骤3)得到的长有硫化铋纳米线的电极基片作为工作电极,利用电沉积法在硫化铋纳米线上修饰氢氧化钴纳米片,得到氢氧化钴/硫化铋复合纳米线超级电容电极材料。本发明制备的氢氧化钴/硫化铋复合纳米线材料作为超级电容的电极材料具有较高的容量以及良好的循环稳定性。
搜索关键词: 氢氧化 硫化 复合 纳米 超级 电容 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
一种氢氧化钴/硫化铋复合纳米线超级电容电极材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)在电极基片上制备一层硫化铋的晶种层;2)将步骤1)得到的有晶种层的电极基片在空气中退火处理;3)通过水热反应在步骤2)得到的退火后的电极基片上生长一层硫化铋的纳米线,得到长有硫化铋纳米线的电极基片;4)将步骤3)得到的长有硫化铋纳米线的电极基片作为工作电极,利用电沉积法在硫化铋纳米线上修饰氢氧化钴纳米片,得到氢氧化钴/硫化铋复合纳米线超级电容电极材料。
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