[发明专利]内串式金属化膜直流高压电容器无效
申请号: | 201310448269.1 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103489638A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 曹骏骅;谢兴明 | 申请(专利权)人: | 安徽赛福电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/38;H01G4/33 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 244000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器,包括配对金属化膜,所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜,上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二,下膜镀设有金属化膜三,所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一,两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二,所述间隙一与所述间隙二等宽,所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽,且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器,具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。 | ||
搜索关键词: | 内串式 金属化 直流 高压 电容器 | ||
【主权项】:
一种内串式金属化膜直流高压电容器,其特征是,包括配对金属化膜,所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜,所述上膜镀设有平行的矩形金属化膜一(M1)和矩形金属化膜二(M2),所述下膜镀设有平行于所述金属化膜一(M1)的矩形金属化膜三(M3),所述金属化膜一(M1)为两个且位于所述上膜的两侧,所述金属化膜二(M2)为一个或多个,所述金属化膜三(M3)为至少两个;所述金属化膜一(M1)和所述金属化膜二(M2)之间、以及多个所述金属化膜二(M2)之间均设置有间隙一(L2),两个或多个所述金属化膜二(M2)之间均设置有间隙二(L3);所述间隙一(L2)与所述间隙二(L3)等宽,所述金属化膜二(M2)和所述金属化膜三(M3)等宽,且所述间隙一(L2)的中线与所述金属化膜三(M3)的中线对齐。
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