[发明专利]半导体器件及其形成方法、非瞬时计算机可读存储介质

摘要

本发明公开了半导体器件及其形成方法、非瞬时计算机可读存储介质。本发明具体公开了形成异质结双极晶体管地方法，该方法包括提供包括至少本征基极区域和发射极基座区域的结构。在本征基极区域上形成堆叠。堆叠包括多晶硅层和顶部牺牲氧化物层。在结构中形成沟槽。沟槽限定本征基极区域和堆叠的范围。在堆叠周围的两个区域形成非本征基极。通过选择性外延生长工艺形成非本征基极，以在沟槽之上产生桥。桥连接所述两个区域。在堆叠中提供开口。开口暴露本征基极区域的一部分。在开口中形成发射极。

主权项

一种形成异质结双极晶体管的方法，包括以下步骤：提供包括至少本征基极区域和发射极基座区域的结构，其中所述发射极基座区域包括发射极堆叠，所述堆叠包括多晶硅层和顶部牺牲氧化物层；在所述本征基极区域上形成所述堆叠；在所述结构中的堆叠周围形成沟槽，所述沟槽限定所述本征基极区域和所述堆叠的范围；执行选择性外延生长工艺，以在所述堆叠周围形成非本征基极，所述非本征基极在所述沟槽之上产生桥；在所述堆叠中提供开口，所述开口暴露所述本征基极区域的一部分；以及在所述开口中形成发射极。