[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法在审
| 申请号： | 201310446528.7 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103911616A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张尚勋;沈庆辅 | 申请（专利权）人： | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30;H01L21/77;H01L21/28;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 武晨燕;胡春光 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于银（Ag）或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀剂组合物，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包含0.1～0.8wt%的具有羧基的杂环化合物，本发明还公开了一种形成金属图案的方法以及一种制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法。该刻蚀剂组合物可以降低银（Ag）或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀速率，并能表现出均一的刻蚀特性而不损坏下部数据线且不产生残渣。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 组合 金属 图案 形成 方法 阵列 制法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀剂组合物，所述刻蚀剂组合物用于银或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包含0.1～0.8wt%的具有羧基的杂环化合物。
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