[发明专利]一种反应腔室的预处理控制方法有效
| 申请号： | 201310441608.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465452B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 高鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室的预处理控制方法，其包括以下步骤S1，预先配置并存储预处理条件表，预处理条件表内存储有预处理条件和与之一一对应的预处理配方；S2，获取反应腔室的当前条件参数，并在预处理条件表内查询与当前条件参数所符合的预处理条件相对应的预处理配方；S3，采用预处理配方对反应腔室进行预处理。本发明提供的预处理控制方法，其不仅可以提高预处理的工作效率，从而可以提高经济效益；而且可以降低对操作人员的专业知识的要求，并减少采用手动控制方式产生的误操作，从而可以降低技术投入成本和提高工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 预处理 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种反应腔室的预处理控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，预先配置并存储预处理条件表，所述预处理条件表内存储有预处理条件和与之一一对应的预处理配方；S2，获取所述反应腔室的当前条件参数，并在所述预处理条件表内查询与所述当前条件参数所符合的所述预处理条件相对应的预处理配方；S3，采用所述预处理配方对所述反应腔室进行预处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
