[发明专利]一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310440765.2 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN103489934A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 蒋秀林;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面透光的局部铝背场晶体硅太阳能电池,包括硅基体,设于硅基体正面的发射极、正面减反射钝化膜和正面电极,以及设于硅基体背面的背面钝化膜、背电场和背电极,所述背电场为局部铝背场,其通过在背面钝化膜上开孔或者开槽,在开孔或者开槽区域采用线型铝浆覆盖所述开孔或者开槽区域,并保留部分背面钝化膜不被铝浆所覆盖,烧结后在开孔或者开槽区域形成局部铝背场,所述局部铝背场与所述背电极相连通。该太阳能电池背面钝化层(膜)没有完全被铝浆覆盖,电池可以吸收部分背面入射或者散射的光线,增加了电池和组件的电流,从而提高了电池和组件的光电转换效率。还公开了上述双面透光的局部铝背场晶体硅太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 透光 局部 铝背场 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双面透光的局部铝背场晶体硅太阳能电池,包括硅基体,设于硅基体正面的发射极、正面减反射钝化膜和正面电极,以及设于硅基体背面的背面钝化膜、背电场和背电极,其特征是:所述背电场为局部铝背场,其通过在背面钝化膜上开孔或者开槽,在开孔或者开槽区域采用线型铝浆覆盖所述开孔或者开槽区域,并保留部分背面钝化膜不被铝浆所覆盖,烧结后在开孔或者开槽区域形成局部铝背场,所述局部铝背场与所述背电极相连通。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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