[发明专利]一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310440765.2 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103489934A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 蒋秀林;单伟 申请(专利权)人: 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 225131 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种双面透光的局部铝背场晶体硅太阳能电池,包括硅基体,设于硅基体正面的发射极、正面减反射钝化膜和正面电极,以及设于硅基体背面的背面钝化膜、背电场和背电极,所述背电场为局部铝背场,其通过在背面钝化膜上开孔或者开槽,在开孔或者开槽区域采用线型铝浆覆盖所述开孔或者开槽区域,并保留部分背面钝化膜不被铝浆所覆盖,烧结后在开孔或者开槽区域形成局部铝背场,所述局部铝背场与所述背电极相连通。该太阳能电池背面钝化层(膜)没有完全被铝浆覆盖,电池可以吸收部分背面入射或者散射的光线,增加了电池和组件的电流,从而提高了电池和组件的光电转换效率。还公开了上述双面透光的局部铝背场晶体硅太阳能电池的制备方法。
搜索关键词: 一种 双面 透光 局部 铝背场 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双面透光的局部铝背场晶体硅太阳能电池,包括硅基体,设于硅基体正面的发射极、正面减反射钝化膜和正面电极,以及设于硅基体背面的背面钝化膜、背电场和背电极,其特征是:所述背电场为局部铝背场,其通过在背面钝化膜上开孔或者开槽,在开孔或者开槽区域采用线型铝浆覆盖所述开孔或者开槽区域,并保留部分背面钝化膜不被铝浆所覆盖,烧结后在开孔或者开槽区域形成局部铝背场,所述局部铝背场与所述背电极相连通。
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