[发明专利]用于基底的非原位分析的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201310440696.5 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103675358B 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: T.G.米勒;J.阿加瓦奇;D.希尔;M.斯特劳斯;G.N.A.范韦恩 申请(专利权)人: FEI公司
主分类号: G01Q30/20 分类号: G01Q30/20;H01L21/302
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐红燕;马永利
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了用于基底的非原位分析的系统和方法。本发明披露了一种用于制作供在非原位TEM、SEM、或STEM程序中使用的不对称薄层的方法和系统。薄层的形状提供用于容易定向,从而使得可以在化学分析的TEM、SEM、或STEM程序中来自碳膜最少的光学和光谱干扰的条件下将该薄层内的相关区放置在碳膜内的孔上。
搜索关键词: 用于 基底 原位 分析 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于非原位TEM/STEM/SEM分析的方法,包括:用聚焦离子束在真空室内制作样品,其中,所述样品具有不对称TEM垂直观察侧;所述样品具有用于TEM/STEM/SEM分析的相关区;从该真空室移出所述样品并将其放置在包含碳膜的碳栅格上;所述碳膜包括至少2 µm的孔;将所述样品放置该碳栅格上,其中,该不对称TEM垂直观察侧被定向垂直TEM束路径方向;以及定向所述样品包括观察不对称TEM垂直观察侧的不对称性使得在所述样品中正确地定向相关区以铺设在至少2 µm的所述孔之一上。
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