[发明专利]振荡电路、半导体集成电路装置、振动器件、电子设备在审

专利信息
申请号: 201310431925.7 申请日: 2013-09-22
公开(公告)号: CN103715987A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 石川匡亨;山本壮洋;板坂洋佑 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 振荡电路、半导体集成电路装置、振动器件、电子设备,能够抑制电路规模和功耗的增加,扩大可变电容元件的可变幅度,得到合适的可变电容元件的灵敏度特性。振荡电路包含:第1可变电容部,与振荡电路的输入侧连接,包含电容根据第1控制电压与第1基准电压的电位差来控制的第1可变电容元件;第2可变电容部,与振荡电路的输出侧连接,包含电容根据第1控制电压与第2基准电压的电位差来控制的第2可变电容元件,将第1、第2可变电容部中除了第1、第2可变电容元件以外的合成电容作为第1、第2合成电容,在第2合成电容大于第1合成电容的情况下,利用基于基准电位差的电容进行比较,使用电容大于第1可变电容元件的第2可变电容元件。
搜索关键词: 振荡 电路 半导体 集成电路 装置 振动 器件 电子设备
【主权项】:
一种振荡电路,该振荡电路具有放大电路,使振荡元件进行振荡而输出振荡信号,所述振荡电路具有:第1可变电容部,其与所述放大电路的输入侧连接,包含第1可变电容元件,其中,根据第1控制电压与第1基准电压的电位差来控制所述第1可变电容元件的电容;以及第2可变电容部,其与所述放大电路的输出侧连接,包含第2可变电容元件,其中,根据所述第1控制电压与第2基准电压的电位差来控制所述第2可变电容元件的电容,设所述第1可变电容部中除了所述第1可变电容元件以外的合成电容为第1合成电容,设所述第2可变电容部中除了所述第2可变电容元件以外的合成电容为第2合成电容,在所述第2合成电容大于所述第1合成电容的情况下,使用以基于基准电位差的电容进行比较,电容比所述第1可变电容元件大的所述第2可变电容元件,在所述第1合成电容大于所述第2合成电容的情况下,使用以基于所述基准电位差的电容进行比较,电容比所述第2可变电容元件大的所述第1可变电容元件。
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