[发明专利]一种光萼唇柱苣苔组织培养及快速繁殖的方法

摘要

本发明公开了一种光萼唇柱苣苔组织培养及快速繁殖的方法。本发明以光萼唇柱苣苔叶片为外植体，通过筛选和优化初代诱导、继代增殖、生根和移栽培养基配方和培养条件，经过不定芽的初代诱导、继代增殖和生根培养以及试管苗的移栽阶段，实现光萼唇柱苣苔种苗的快速繁殖，一般只需80天就可以获得光萼唇柱苣苔的幼苗，并且光萼唇柱苣苔幼苗的成活率可达95%以上，从而为该物种的遗传改良、种质资源保护和开发利用奠定基础。

主权项

一种光萼唇柱苣苔组织培养及快速繁殖的方法，其特征在于，包括以下步骤：a、外植体消毒处理：以光萼唇柱苣苔（Chirita anachoreta Hance）植株叶片为外植体，清洗消毒干净后得到消毒后的外植体；b、不定芽的初代诱导：将消毒后的外植体接种到诱导培养基上，在温度25±1℃、光照强度50μmol·m‑2·s‑1、光照时间12h·d‑1的条件下培养，外植体诱导形成不定芽，所用的诱导培养基为：每升含有苄氨基嘌呤0.1～0.5μmol、N‑苯基‑N′‑1，2，3‑噻二唑‑5‑脲0.1μmol、3‑吲哚丁酸0.1μmol、蔗糖30g、琼脂5.5g，其余为MS培养基，pH为5.8；c、芽的继代增殖：将不定芽丛切成块，转入继代的培养基上，在温度25±1℃、光照强度50μmol·m‑2·s‑1、光照时间12h·d‑1的条件下培养，从生芽生长健壮成芽苗，所用的继代的培养基为：每升含有苄氨基嘌呤0.1μmol、萘乙酸0～0.1μmol、蔗糖30g、琼脂5.5g、其余为MS培养基，pH为5.8；d、生根培养：将高2～3cm的芽苗分切转入生根培养基上，在温度25±1℃、光照强度50μmol·m‑2·s‑1、光照时间12h·d‑1的条件下培养，形成生根的试管苗，所述的生根培养基为：每升含有萘乙酸0.5～1.0μmol、蔗糖30g、琼脂5.5g、其余为1/2MS培养基，pH为5.8；e、试管苗移栽：将长好根的试管苗移栽到移栽基质中，放置于遮荫温室中培养，浇水保湿，其他按常规条件进行培养，由此得到光萼唇柱苣苔幼苗，所用的移栽基质为：腐质土和蛭石按质量比2∶1混合均匀。