[发明专利]电熔丝及其制造方法有效
| 申请号： | 201310424645.3 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103715172B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 全成都;沈辰燮;金载运;白成烈;金宗洙;崔允熙;金秀珍;朴星范 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,韩芳 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电熔丝及其制造方法。所述电熔丝包括正极，形成在衬底上；负极，形成在衬底上；熔断片，将正极和负极相互连接；第一接触点，形成在正极上；第二接触点，形成在负极上且被布置为比第一接触点更接近熔断片。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电熔丝，包含有：正极，形成在半导体衬底上；负极，形成在半导体衬底上；熔断片，将正极和负极相互连接；第一接触点，形成在正极上；第二接触点，形成在负极上且被布置为比第一接触点更接近熔断片，其中，第二接触点被布置为与距负极的远离熔断片的边缘相比更靠近负极的接近熔断片的边缘，使得第二接触点不对称地设置在负极，通过熔断片的虚拟延伸线定义的区域上没有形成接触点，所述区域从负极的远离熔断片的边缘延伸到正极的远离熔断片的边缘。
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