[发明专利]一种超结功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310420420.0 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103515443A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李果;宋询奕;顾鸿鸣;吴明进;张鹏;曾智;李泽宏;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结功率器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底（7）、第二导电类型半导体辅助耗尽层（14）、第二导电类型半导体漂移区（4）、第一导电类型半导体漂移区（11）、第一导电类型半导体体区（9）、第二导电类型半导体源区（10）、第一导电类型半导体接触区（8）、源级金属化电极（1）、漏极金属化电极（5）、第二导电类型半导体材料漏区（6）、薄栅氧层（13）、栅电极（2）、厚氧化层（12）和延伸栅电极（3），所述第二导电类型半导体辅助耗尽层（14）设置在第一导电类型半导体衬底（7）的上表面，所述第二导电类型半导体漂移区（4）、第一导电类型半导体漂移区（11）和第一导电类型半导体体区（9）相互接触并均设置在第二导电类型半导体辅助耗尽层（14）的上表面，第二导电类型半导体漂移区（4）部分设置在第一导电类型半导体漂移区（11）的上表面，所述第二导电类型半导体源区（10）和第一导电类型半导体接触区（8）相互独立设置在第一导电类型半导体体区（9）中，所述源级金属化电极（1）设置在第一导电类型半导体接触区（8）和部分第二导电类型半导体源区（10）的上表面，所述第二导电类型半导体材料漏区（6）设置在第二导电类型半导体漂移区（4）中远离第一导电类型半导体体区（9）的一端，所述漏极金属化电极（5）设置在第二导电类型半导体材料漏区（6）的上表面，所述薄栅氧层（13）设置在第一导电类型半导体体区（9）的部分上表面，所述栅电极（2）设置在薄栅氧层（13）的上表面，所述厚氧化层（12）设置在第二导电类型半导体漂移区（4）的上表面，所述延伸栅电极（3）设置在厚氧化层（12）的上表面且与栅电极（2）连接；其特征在于，所述第二导电类型半导体漂移区（4）和第一导电类型半导体体区（9）上设置有凹槽，所述厚氧化层（12）覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区（4）的上表面，所述薄栅氧化层（13）覆盖设置在第一导电类型半导体体区（9）的上表面，所述栅电极（2）覆盖设置在厚氧化层（12）和薄栅氧化层（13）的上表面。
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