[发明专利]基片集成波导腔体缝隙天线有效

专利信息
申请号: 201310418575.0 申请日: 2013-09-13
公开(公告)号: CN103474780A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 徐自强;吴波;刘昊;张根;夏红;尉旭波;廖家轩;汪澎;田忠 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q13/18 分类号: H01Q13/18
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种能够获得高阶的TE410模式场分布的基片集成波导腔体缝隙天线。该天线包括介质基板、上表面金属层、下表面金属层,在上表面金属层上刻蚀有T形共地共面波导输入端,在下表面金属层上刻蚀有三条互相平行的矩形辐射缝隙,分别为第一矩形辐射缝隙、第二矩形辐射缝隙、第三矩形辐射缝隙,所述T形共地共面波导输入端跨过第一矩形辐射缝隙、第二矩形辐射缝隙并且T形共地共面波导输入端的末端与第三矩形辐射缝隙之间的距离为1/4到3/4个TE410模式谐振波长,能够激励起中心工作频率附近基片集成波导矩形腔体内的TE410模式场分布,从而实现对三条互相平行的矩形辐射缝隙的同相馈电,并提高了天线工作带宽内的增益。适合在天线技术领域推广应用。
搜索关键词: 集成 波导 缝隙 天线
【主权项】:
基片集成波导腔体缝隙天线,包括介质基板(1)以及设置在介质基板(1)表面的上表面金属层(2)、下表面金属层(3),所述介质基板(1)上设置有贯穿于介质基板(1)的金属化通孔阵列(4),所述金属化通孔阵列(4)与上表面金属层(2)、下表面金属层(3)共同围成一个矩形基片集成波导腔体(5),其特征在于:在上表面金属层(2)上刻蚀有T形共地共面波导输入端(6),在下表面金属层(3)上沿矩形基片集成波导腔体(5)的宽度方向刻蚀有三条互相平行的矩形辐射缝隙,分别为第一矩形辐射缝隙(7)、第二矩形辐射缝隙(8)、第三矩形辐射缝隙(9),所述T形共地共面波导输入端(6)跨过第一矩形辐射缝隙(7)、第二矩形辐射缝隙(8)并且T形共地共面波导输入端(6)的末端与第三矩形辐射缝隙(9)之间的距离为1/4到3/4个TE410模式谐振波长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310418575.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top