[发明专利]具有适应性写操作的非易失性存储器(NVM)有效
| 申请号： | 201310418484.7 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103680622B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 何晨;理查德·K·埃吉基 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有适应性写操作的非易失性存储器(NVM)。对存储阵列的存储单元执行写操作的方法包括：根据第一预定缓变率，在所述存储单元上应用所述写操作的第一多个脉冲，其中所述第一多个脉冲是预定数量的脉冲；执行所述存储单元的子集的阈值电压与中间验证电压的对比；以及如果存储单元的任何所述子集的阈值电压未通过与所述中间验证电压的对比，根据与所述第一预定缓变率相比具有增大的缓变率的第二预定缓变率，通过在所述存储单元上应用第二多个脉冲继续所述写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 适应性 操作 非易失性存储器 nvm | ||
【主权项】：
1.一种对存储阵列的存储单元执行写操作的方法，所述方法包括：根据第一预定缓变率，对所述存储单元应用所述写操作的第一多个脉冲，其中所述第一多个脉冲是预定数量的脉冲；执行所述存储单元的子集的阈值电压与中间验证电压的对比；以及如果所述存储单元的子集中的任何一个的阈值电压未通过与所述中间验证电压的对比，根据与所述第一预定缓变率相比具有增大的缓变率的第二预定缓变率，通过在所述存储单元上应用第二多个脉冲继续所述写操作；如果所述存储单元中的任何一个子集的阈值电压通过了与所述中间验证电压的对比，根据所述第一预定缓变率，通过在所述存储单元上应用第二多个脉冲继续所述写操作。
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