[发明专利]利用间隔物掩模的频率加倍

摘要

本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后，去除所述牺牲掩模，以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。

主权项

一种用于制造半导体掩模的方法，包括：提供具有牺牲掩模的半导体叠层，其中所述牺牲掩模由一系列线构成，所述一系列线中的每一条线具有侧壁和末端；在所述半导体叠层上方并且与所述牺牲掩模共形地沉积间隔物层；刻蚀所述间隔物层，所述刻蚀以提供间隔物掩模并暴露所述牺牲掩模的顶表面，其中所述间隔物掩模具有与所述牺牲掩模的所述一系列线中的每一条线的侧壁邻接的间隔物线、以及所述间隔物掩模的包绕所述一系列线中的每一条线的末端的部分，其中与所述牺牲掩模的所述一系列线中的每一条线的侧壁邻接的所述间隔物线和与所述牺牲掩模的所述一系列线中的所有其他线的侧壁邻接的所述间隔物线是不连续的；在所述间隔物掩模和所述牺牲掩模上方沉积并图案化光刻胶层，以形成所述间隔物掩模的包绕所述一系列线中的每一条线的末端的暴露部分；刻蚀所述间隔物掩模的所述暴露部分，从而通过去除所述间隔物掩模的包绕所述一系列线中的每一条线的末端的所述部分来修剪所述间隔物掩模；以及在刻蚀所述间隔物掩模之后，去除所述牺牲掩模以提供经修剪的间隔物掩模。