[发明专利]一种晶体硅太阳能电池激光扩散方法

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池生产领域，具体是一种晶体硅太阳能电池激光扩散方法。把干燥的硅片放入扩散炉，激光光源为矩形300µm×600µm，激光扩散包括横向扫描和竖向扫描两种扩散方式，对在炉中的硅片在不同温度和不同浓度的三氯氧磷流量、氧气、氮气的条件下份三次对晶体硅片进行激光扩散扫描，从而提高了电池片光电转换效率的同时，减少了激光扩散的时间，从而大幅度减少了生产成本。

主权项

一种晶体硅太阳能电池激光扩散方法，其特征在于按照如下的方法进行：步骤一，把干燥的硅片放入扩散炉，激光光源为矩形300 µm × 600  µm，激光扩散包括横向扫描和竖向扫描两种扩散方式，通入氮气保护，将扩散炉温度升高到786 ℃，通入三氯氧磷、氧气、氮气进行第一次扩散，保持三氯氧磷流量1500 ml/min，氧气流量300 ml/min，氮气流量7 L/min，扩散时间13分钟；步骤二，将温度升高到826℃‑838 ℃，保持三氯氧磷流量1500 ml/min，氧气流量2900 ml/min，氮气流量5 L/min，进行第二次扩散，扩散时间10分钟；步骤三，将温度保持在820℃，保持三氯氧磷流量2000 ml/min，氧气流量2900 ml/min，氮气流量4 L/min，进行第三次扩散，扩散时间 10分钟。