[发明专利]一种磁传感装置的制备工艺有效

专利信息
申请号: 201310415052.0 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN104459574B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 杨鹤俊;张挺 申请(专利权)人: 上海矽睿科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;H01L43/12;G01C17/28
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司31242 代理人: 王松
地址: 201815 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种磁传感装置的制备工艺,包括如下步骤在基底的表面设置沟槽;在基底表面沉积磁性材料,形成磁性材料层;磁性材料层包括设置于基底表面的第一部分及沟槽内的第二部分;回刻位于基底表面的磁性材料层的第一部分;沉积第一介质材料;沉积光刻胶,曝光,显影;刻蚀形成ARM图形;沉积第二介质材料;通过光刻工艺和刻蚀工艺形成接触窗口;沉积金属层,并刻蚀,形成感应单元的电极层。本发明提出的磁传感装置的制备工艺,通过提高第三轴的磁性材料的物理厚度,从而增加第三轴的感应能力;同时不会增加感应单元的磁性材料在第一、第二轴方向的厚度。因此,本发明工艺可提高磁传感装置的感应能力及灵敏度。
搜索关键词: 一种 传感 装置 制备 工艺
【主权项】:
一种磁传感装置的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括如下步骤:步骤S1、在基底的表面设置沟槽;步骤S2、在包含有沟槽的基底表面沉积磁性材料,形成磁性材料层;磁性材料层包括设置于基底表面的第一部分及沟槽内的第二部分;磁性材料层的第一部分的厚度大于200A、小于5000A;步骤S3、回刻位于基底表面的磁性材料层的第一部分,保留第一部分的厚度为0.3至2.5倍第二部分的厚度;步骤S4、沉积第一介质材料,形成第一介质材料层;步骤S5、沉积光刻胶,曝光,显影;步骤S6、刻蚀形成ARM图形,去除部分磁性材料,去除光刻胶;在基底上分别形成感应单元的磁性材料层、导磁单元;导磁单元的主体部分形成于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面,用以感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到感应单元进行测量;感应单元的磁性材料层形成于沟槽外,感应单元用以测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合导磁单元输出的磁信号,能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直;步骤S7、沉积第二介质材料;步骤S8、通过光刻工艺和刻蚀工艺形成接触窗口;步骤S9、沉积金属层,并刻蚀,形成感应单元的电极层。
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