[发明专利]一种纳米压电免疫传感器的制备方法及其应用无效
| 申请号： | 201310410554.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103630687A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李杜娟;王剑平;周玲;盖玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N33/569 | 分类号： | G01N33/569;G01N33/531 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明公开了一种纳米压电免疫传感器的制备方法，本发明用纳米金颗粒修饰压电石英晶体金电极，然后用酒精和去离子水冲洗后氮气干燥，采用自组装技术将抗-大肠杆菌O157:H7抗体修饰于纳米金表面，再将所述压电石英晶体用乙醇胺溶液处理即得到纳米压电免疫传感器。本发明纳米压电免疫传感器制备方法简单，用于大肠杆菌O157:H7的检测方法简易便行、响应时间短，为食源性致病菌的快速检测创造了重要条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压电 免疫 传感器 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
纳米压电免疫传感器制备方法，其特征在于：用纳米金颗粒修饰压电石英晶体金电极，然后用酒精和去离子水冲洗后氮气干燥，采用自组装技术将抗‑大肠杆菌O157:H7抗体修饰于纳米金表面，再将所述压电石英晶体用乙醇胺溶液处理即得到纳米压电免疫传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310410554.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
