[发明专利]具有三重图案化金属层结构的位格有效
申请号: | 201310410551.0 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN103681472B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | J·金;桂宗郁 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/8244;H01L27/11;H01L23/528 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 揭示一种具有三重图案化金属层结构的位格。具体实施例包括经由金属层的第一图案化制程,提供为字符线结构、接地线结构、电源线结构及位线结构中的第一者的第一结构;经由该金属层的第二图案化制程,提供与该第一结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第二者的第二结构;以及经由该金属层的第三图案化制程,提供与该第一结构及该第二结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第三者的第三结构。 | ||
搜索关键词: | 具有 三重 图案 金属 结构 | ||
【主权项】:
一种制造半导体装置的方法,其包含:经由金属层的第一图案化制程,提供为字符线结构、接地线结构、电源线结构及位线结构中的第一者的第一结构;经由该金属层的第二图案化制程,提供与该第一结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第二者的第二结构;经由该金属层的第三图案化制程,提供与该第一结构及该第二结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第三者的第三结构;以及提供该字符线结构、该接地线结构、该位线结构或其组合以具有第一边缘及邻接该第一边缘的第二边缘,其中,该字符线结构的该第二边缘面对面地面对该接地线结构的该第二边缘,而该字符线结构及该接地线结构的该第一边缘都面对面地面对该位线结构的该第二边缘,该字符线结构的该第二边缘比该字符线结构的该第一边缘长,且该接地线结构的该第二边缘比该接地线结构的该第一边缘长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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