[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310407943.1 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425383B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 倪景华;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；对所述半导体衬底进行凹槽工艺，以在所述第一侧墙两侧的所述半导体衬底的暴露区域形成凹槽；进行浅掺杂工艺；在所述栅极结构的侧壁形成第二侧墙；进行源/漏极掺杂工艺；去除所述第二侧墙；在所述半导体衬底的表面、所述栅极结构的表面以及所述第一侧墙的表面上形成应力衬垫层。本发明的半导体器件的制备方法中，由于所述凹槽的存在，使得随后形成的应力衬垫层更靠近沟道区域，以提高应力迁移效果，从而有效地改善沟道内载流子迁移效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；对所述半导体衬底进行凹槽工艺，以在所述第一侧墙两侧的所述半导体衬底的暴露区域形成凹槽；进行浅掺杂工艺，以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成浅掺杂区；在所述栅极结构的侧壁形成第二侧墙；进行源/漏极掺杂工艺，以在所述第二侧墙两侧的所述半导体衬底中形成源极和漏极；去除所述第二侧墙，以露出所述第一侧墙的表面，并露出所述第一侧墙两侧的凹槽；以及在所述半导体衬底的表面、所述栅极结构的表面以及所述第一侧墙的表面上形成应力衬垫层，所述应力衬垫层填充所述第一侧墙两侧的凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310407943.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
