[发明专利]CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310407360.9 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN103811571A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 朴钟九;赵素惠;宋奉根;李昇勇;朴甫仁;朴滢浩 | 申请(专利权)人: | 韩国科学技术研究院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;冯敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种铜铟镓硒(CIGS)基或铜锌锡硫(CZTS)基太阳能电池,该太阳能电池包括背电极层和光吸收层,其中,光吸收层具有CuxInyGa1-y(SzSe1-z)2(其中,0.85≦x<1、0<y<1、0<z<1,并且x、y和z中的每个都代表实数)或Cu(2-p)Zn(2-q)Snq(SrSe(1-r))4(其中,1.4≦p<2、0<q<2、0<r<2,并且p、q和r中的每个都代表实数)的组分。所述CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池不引起层间分层并且改善耐久性和光电转换效率。还提供了一种CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池的制备方法,通过该方法控制钼背电极层向二硒化钼的转变。 | ||
搜索关键词: | cigs czts 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜,所述预处理薄膜包括顺序地堆叠的基板、钼背电极层、铜薄膜、以及光吸收粉末层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的