[发明专利]存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路有效
| 申请号： | 201310406525.0 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103680629B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 何坚柱;李祥邦;张锡嘉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34;G11C29/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路，该操作方法包括以具有一第一字线感测电压的一存储器感测操作作多重测量，该多重测量包含一第一测量，其测量该存储器单元是否储存(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或者(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成。该多重测量包含一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在一特定阈值电压范围内的相对位置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 操作方法 具有 集成电路 | ||
【主权项】：
一种存储器操作方法，包括：以一具有一第一字线感测电压的存储器感测操作对一存储器单元作多次测量，该多次测量包含：(i)一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，以及(ii)一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在属于该第一组或第二组的一特定阈值电压范围内的相对位置；其中若响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果超出一事先决定的误差限度的测定，以一第二字线感测电压取代该第一字线感测电压，重复对该存储器单元的该第一测量；若响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果未超出该事先决定的误差限度的测定，则依据误差的型态调高或调低该第一字线感测电压。
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