[发明专利]铜锌锡硫太阳能电池器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310393325.6 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103474487A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 徐苗苗;杨春雷;冯叶;肖旭东;顾光一;程冠铭;郭延璐;于冰;鲍浪 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种铜锌锡硫太阳能电池器件，包括依次层叠的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层及窗口层，所述光吸收层为铜锌锡硫薄膜，所述缓冲层由ZnSxSe1-x制成，其中，0.44＜X＜1。上述铜锌锡硫太阳能电池采用由ZnSxSe1-x制成缓冲层，其与光吸收层之间的异质结具有较小的晶格失配度，界面处缺陷少，从而减小了载流子的复合率和暗电流，增大了铜锌锡硫太阳能电池的开路电压。同时还提供了一种用于制备上述铜锌锡硫太阳能电池器件的铜锌锡硫太阳能电池器件制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 铜锌锡硫 太阳能电池 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫太阳能电池器件，其特征在于，包括依次层叠的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层及窗口层，所述光吸收层为铜锌锡硫薄膜，所述缓冲层由ZnSxSe1‑x制成，其中，0.44＜X＜1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
