[发明专利]一种场终止型IGBT器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310385233.3 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103594356A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 高文玉;刘隽;王耀华;刘钺杨;刘江;于坤山;张宇;包海龙;车家杰 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V 场终止型 IGBT器件制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终止 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场终止型IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：步骤001，选择N型掺杂区熔法单晶硅片，厚度根据电压等级确定；步骤002，从硅片背面离子注入杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；步骤003，腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；步骤004，去除硅片正面的保护层，在硅片正面进行IGBT器件元胞区的制造；步骤005，从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀2um左右厚度的硅衬底，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；步骤006，完成背面集电极区的制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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