[发明专利]一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构无效
| 申请号： | 201310384700.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489886A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 周刚;周九飞;赵嘉鑫;徐正平;陈志超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构，属于CCD器件制造及应用技术领域，涉及TDI-CCD像元的几何形状。本发明提供的可提高成像质量的TDI-CCD像元结构是在不改变原像元所占面积的情况下，使TDI-CCD在TDI方向上相邻像元之间的非感光区域占原像元面积的75%以上，即缩小TDI方向上像元的感光区域尺寸，具有这种形状像元的TDI-CCD，可以有效地提高成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 成像 质量 tdi ccd 结构 | ||
【主权项】：
一种可提高成像质量的TDI‑CCD像元结构，其特征在于，该像元结构上的感光区域满足：该感光区域TDI方向上的宽度小于或等于像元结构TDI方向上的宽度的25%。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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