[发明专利]具有钝化层的半导体器件有效
| 申请号： | 201310383590.6 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681799B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | J.鲍尔;O.胡姆贝尔;A.科普罗夫斯基;S.莫纳亚库尔;C.舍费尔;G.施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马永利,刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有钝化层的半导体器件。半导体器件包括具有第一表面的半导体本体、布置在第一表面上的接触电极、以及在第一表面上与接触电极邻近的钝化层。所述钝化层包括层堆叠，所述层堆叠具有第一表面上的无定形半绝缘层、所述无定形半绝缘层上的第一氮化物层、以及第一氮化物层上的第二氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括第一表面；布置在第一表面上的接触电极；以及在第一表面上与所述接触电极邻近的钝化层，所述钝化层包括层堆叠，所述层堆叠具有第一表面上的无定形半绝缘层、所述无定形半绝缘层上的第一氮化物层、以及第一氮化物层上的第二氮化物层，其中，所述钝化层还包括：第一氮化物层与第二氮化物层之间的中间层，以及其中，所述中间层具有的硬度低于所述接触电极的材料的硬度，并且高于第一和第二氮化物层中的一个的硬度。
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