[发明专利]存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储装置及其制造方法。该存储装置包括一衬底、一三维存储阵列(3Dmemory array)、一周边电路(periphery circuit)以及一导电连接结构(conductive connection structure)。三维存储阵列及周边电路叠层设置于衬底上。周边电路包括一图案化金属层及一接触结构(contact structure)，接触结构电性连接于图案化金属层。导电连接结构电性连接于图案化金属层，三维存储阵列经由导电连接结构电性连接至周边电路。

主权项

一种存储装置，包括：一衬底；一三维存储阵列(3Dmemory array)及一周边电路(periphery circuit)叠层设置于该衬底上，该周边电路包括：一图案化金属层；及一接触结构(contact structure)，电性连接于该图案化金属层；以及一导电连接结构(conductive connection structure)，电性连接于该图案化金属层，其中该三维存储阵列经由该导电连接结构电性连接至该周边电路。