[发明专利]无机/有机共敏化纳米线太阳能电池光阳极及其制备方法有效
申请号: | 201310381947.7 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN103440989A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 刘志锋;李亚彬 | 申请(专利权)人: | 天津儒创新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/20 |
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地址: | 300112 天津市西*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池领域,具体为无机/有机共敏化纳米线太阳能电池光阳极及其制备方法,具体涉及为CdS/N3共敏化ZnO纳米线太阳能电池光阳极及其制备方法。首先,采用标准三电极电化学沉积系统,在ITO透明导电玻璃上沉积ZnO种子层,再在硝酸锌和六次甲基四铵组成的生长溶液中生长ZnO纳米线,然后,采用SILAR工艺在ZnO纳米线上生长CdS量子点层,最后,用N3染料敏化ZnO/CdS核壳阵列,可得CdS/N3共敏化ZnO纳米线太阳能电池光阳极。该工艺简单,反应温度低,环境友好,制备的CdS/N3共敏化的ZnO纳米线均匀,稳定,光电性能好。 | ||
搜索关键词: | 无机 有机 共敏化 纳米 太阳能电池 阳极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
无机/有机共敏化纳米线太阳能电池光阳极及其制备方法,其特征在于,首先,采用标准三电极电化学沉积系统,在ITO透明导电玻璃上沉积ZnO种子层,再在硝酸锌和六次甲基四铵组成的生长溶液中生长ZnO纳米线,然后,采用SILAR工艺在ZnO纳米线上生长CdS量子点层,最后,用N3染料敏化ZnO/CdS核壳阵列,可得CdS/N3共敏化ZnO纳米线太阳能电池光阳极。
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