[发明专利]MEMS封闭腔体的制作方法无效
| 申请号： | 201310380237.2 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103449358A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊;杨海波;郑欢 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS封闭腔体的制作方法，包括：在半导体衬底上形成牺牲氧化层，并进行刻蚀形成腔体的边界图形；沉积腔体停止层，然后进行刻蚀形成腔体刻蚀孔阵列；通过所述腔体刻蚀孔阵列刻蚀所述牺牲氧化层及半导体衬底形成腔体；填充所述腔体刻蚀孔阵列，形成封闭腔体。通过在形成有牺牲氧化层的半导体衬底上沉积腔体停止层，再通过在腔体停止层上形成腔体刻蚀孔阵列用以刻蚀牺牲氧化层与半导体衬底形成腔体，在一定程度上大幅缩小腔体所能达到的最小尺寸、以及缩小了顶层介质层所能达到的最小厚度，同时省去硅片键合工艺，避免了造成界面孔洞等问题，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 封闭 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在其上形成牺牲氧化层；对所述牺牲氧化层进行第一次刻蚀，形成腔体的边界图形；在所述牺牲氧化层上沉积腔体停止层；对所述腔体停止层进行第二次刻蚀，形成腔体刻蚀孔阵列；通过所述腔体刻蚀孔阵列对所述牺牲氧化层进行第三次刻蚀；通过所述腔体刻蚀孔阵列对所述半导体衬底进行第四次刻蚀，形成腔体；填充所述腔体刻蚀孔阵列，形成封闭腔体。
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