[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装方法有效
| 申请号： | 201310380217.5 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103413769A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 高国华;丁万春;郭飞;朱桂林 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆级芯片尺寸封装方法，包括：在表面具有多个焊盘的芯片上形成钝化层，钝化层具有露出焊盘的第一开口；在钝化层上形成第一绝缘层，第一绝缘层的第一上表面设有凹槽，凹槽下方设有露出焊盘的第二开口，凹槽底部为第一绝缘层的第二上表面；形成覆盖凹槽及焊盘的再布线，再布线的上表面低于第一绝缘层的第一上表面；在第一绝缘层及再布线上形成第二绝缘层，第二绝缘层具有露出再布线的第三开口；在第三开口下方的再布线上形成金属焊球。利用该封装方法所形成的晶圆级芯片尺寸封装结构不存在漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 尺寸 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片尺寸封装方法，其特征在于，包括：在表面具有多个焊盘的芯片上形成钝化层，所述钝化层具有露出焊盘的第一开口；在所述钝化层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的第一上表面设有凹槽，所述凹槽下方设有露出焊盘的第二开口，所述凹槽底部为所述第一绝缘层的第二上表面；形成覆盖所述凹槽及焊盘的再布线，所述再布线的上表面低于所述第一绝缘层的第一上表面；在所述第一绝缘层及再布线上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出再布线的第三开口；在所述第三开口下方的再布线上形成金属焊球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
