[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，鳍式场效应晶体管的形成方法包括提供基底，在基底上形成有鳍部；在鳍部表面选择性生长拓扑绝缘体层；形成栅介质层，栅介质层覆盖拓扑绝缘体层，形成横跨栅介质层的第一栅极；分别去除鳍部两端的栅介质层和拓扑绝缘体层，在暴露的鳍部表面形成具有掺杂的外延层，外延层与第一栅极之间为剩余的栅介质层和拓扑绝缘体层所隔开，鳍部两端具有掺杂的外延层分别作为源极、漏极。在源极与漏极之间施加电压，拓扑绝缘体层表面导通，拓扑绝缘体层表面作为沟道区；在栅极与源极之间施加电压，该电压引发的电场可以调节拓扑绝缘体层表面的载流子浓度。沟道区中的载流子不会碰撞、干扰，提升了载流子的迁移率。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有鳍部；在所述鳍部表面选择性生长拓扑绝缘体层；形成栅介质层，所述栅介质层覆盖拓扑绝缘体层，形成横跨所述栅介质层的第一栅极；去除所述鳍部两端的栅介质层和拓扑绝缘体层，在暴露的鳍部表面形成具有掺杂的外延层，所述外延层与第一栅极之间为剩余的栅介质层和拓扑绝缘体层所隔开，所述鳍部两端具有掺杂的外延层分别作为源极、漏极。